HEAT-UP TIME REDUCTION BEFORE METAL DEPOSITION

A method for depositing metal lines for semiconductor devices, in accordance with the present invention includes the step of providing a semiconductor wafer including a dielectric layer formed on the wafer (10). The dielectric layer has vias formed therein. The wafer is placed in a deposition chamber wherein the wafer has a first temperature (12) achieved without preheating. A metal is deposited on the wafer which fills the vias wherein the metal depositing is initiated at a substantially same time as heating the wafer from the first temperature (14 and 16). L'invention concerne un procédé permettant de déposer des lignes de métallisation sur des dispositifs à semi-conducteurs, qui consiste à fournir une tranche de semi-conducteur comprenant une couche de diélectrique formée sur ladite tranche (10). Des trous d'interconnexion sont formés dans la couche de diélectrique. La tranche est placée dans une chambre de dépôt, ladite tranche présentant une première température (12) obtenue sans préchauffage. Un métal remplissant les trous d'interconnexion est déposé sur la tranche, le dépôt dudit métal étant lancé sensiblement au même moment que le chauffage de la tranche à la première température (14, 16).