FILL STRATEGIES IN THE OPTICAL KERF

Various fill strategies in the optical kerf are provided. A semiconductor wafer is divided into chip areas by strips of optical kerf regions. The optical kerf regions contain alignment marks used in the lithography processes. Partial fill patterns are provided in the optical kerf regions so that the area factor of the kerf region is similar to that of the chip areas. This results in full planarization by chemical mechanical polishing becoming feasible. Additionally, the fill is patterned so the alignment marks may be read accurately. L'invention concerne différentes stratégies de remplissage de la zone de coupe (kerf) optique. Une tranche de semi-conducteur est divisée en zones de puce par des bandes de régions de zone de coupe optique. Ces régions contiennent des marques d'alignement utilisées dans des procédés de lithographie. Des motifs de remplissage partiel sont utilisés dans les régions de zone de coupe optique, de sorte que le facteur surface de la région de zone de coupe est identique à celui des zones de puce. En conséquence, une planarisation totale par polissage mécanico-chimique devient possible. En outre, le remplissage s'effectue selon un motif de sorte que les marques d'alignement peuvent être lues avec précision.