FIELD EMITTERS AND DEVICES

A masking layer (405) is provided on selected areas of an electrode structure that is at least partly performed, to define masked areas and unmasked areas (emitter cells 410). A first constituent with particles (408) and a second constituent (409) are then applied to the emitter cells (410), and the particles (408) are selectively directed towards the bottoms of the emitter cells (410) - e.g. by electrophoresis. The masking layer (405) is then removed from the masked areas, together with any stray quantities of the first and second constituents (408, 409) on the masking layer (405). The first and second constituents (408, 409) are then processed (e.g. by curing) to create broad area field electron emission sites in desired locations of the electrode structure. La présente invention concerne une couche de masquage (405) appliquée sur des surfaces sélectionnées d'une structure d'électrode au moins partiellement réalisée, de manière à définir les surfaces masquées et les surfaces non masquées (cellules d'émetteur 410). Un premier constituent à particules (408) et un second constituent (409) sont ensuite appliqués sur les cellules d'émetteur (410). Ces particules (408) sont sélectivement dirigées vers les parties inférieures des cellules d'émetteur (410), par exemple par électrophorèse. La couche de masquage (405) est ensuite retirée des surfaces masquées, ainsi que toute quantité résiduelle des premier et second constituants (408, 409) présents sur la couche de masquage (405). Les premier et second constituants (408, 409) sont alors traités (par exemple par durcissement) pour créer de vastes sites à émission de champ dans les régions voulues de la structure d'électrode.