RECRYSTALLIZATION PROCESS

The present invention provides a process for producing crystals of a polymorphic compound in a first crystal structure by introduction of the compound in a second crystal structure into a saturated brine solution of the compound under conditions in which formation of the first crystal structure is f...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HAZEN, WAYNE, C, PRUSZKO, RUDOLPH, DENHAM, DALE, LEE, JR, BAUGHMAN, DAVID, R
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention provides a process for producing crystals of a polymorphic compound in a first crystal structure by introduction of the compound in a second crystal structure into a saturated brine solution of the compound under conditions in which formation of the first crystal structure is favored and without evaporation or changes in temperature. As the second crystal structure dissolves, the brine becomes supersaturated resulting in relief of supersaturation by formation of crystals of the first crystal structure. The process includes controlling supersaturation and its relief to achieve growth of existing crystals of the first crystal structure rather than nucleation and formation of new crystals. The resulting crystals are separated from insoluble impurities on a size separation basis. La présente invention concerne un procédé destiné à produire des cristaux de composé polymorphe sous une première structure cristalline en introduisant ce composé dans une deuxième structure cristalline puis dans une saumure saturée du composé dans des conditions où la formation de la première structure cristalline est favorisée et où il n'y a ni évaporation ni changement de température. Lorsque la deuxième structure se dissout, la saumure devient sursaturée et se libère en formant des cristaux de la première structure cristalline. Le procédé comprend un contrôle du niveau de sursaturation et de la libération permettant la croissance de cristaux existants de la première structure cristalline plutôt qu'une nucléation et la formation de nouveaux cristaux. Les cristaux qui en résultent sont séparés des impuretés insolubles par calibrage.