PASSIVATION LAYER STRUCTURE
Eine in flächige Anteile strukturierte Leiterschicht (2) zum Beispiel eines kapazitiv messenden Fingerabdrucksensors wird mittels Aussparungen (3) gitterartig fragmentiert, so dass eine aufgebrachte Passivierungsschicht (1) auf einer unter der Leiterschicht (2) vorhandenen Basisschicht (5) ruht. Auf...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Eine in flächige Anteile strukturierte Leiterschicht (2) zum Beispiel eines kapazitiv messenden Fingerabdrucksensors wird mittels Aussparungen (3) gitterartig fragmentiert, so dass eine aufgebrachte Passivierungsschicht (1) auf einer unter der Leiterschicht (2) vorhandenen Basisschicht (5) ruht. Auf diese Weise wird die interlaminare Scherfestigkeit der Passivierung erhöht.
The invention relates to a passivation layer structure. A conducting layer (2) that is structured into planar sections, for example that of a capacitively measuring fingerprint sensor, is fragmented into a grid-shaped structure by way of recesses (3) so that a passivation layer structure (1) applied thereon rests on a base layer (5) that is provided underneath the conducting layer (2). The inventive design increases the interlaminary shearing resistance of the passivation layer.
Une couche conductrice (2) structurée en sections planes, par exemple, d'un détecteur de mesure capacitive de l'empreinte digitale, est fragmentée par un réseau d'évidements (3) de telle façon qu'une couche de passivation (1) appliquée repose sur une couche de base (5) sous-jacente à la couche conductrice (2). Cela permet d'augmenter la résistance au cisaillement interlaminaire de la couche de passivation. |
---|