ENHANCED n TYPE SILICON MATERIAL FOR EPITAXIAL WAFER SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING SAME

An enhanced n silicon material for epitaxial substrates and a method for producing it are described. The enhanced material leads to improved gettering characteristics of n/n epitaxial wafers based on these substrates. The method for preparing such n silicon material includes applying a co-doping of carbon to the usual n dopant in the silicon melt, before growing respective CZ crystals. This improves yield of enhanced n silicon material in crystal growing and ultimately leads to device yield stabilization of improvement when such n/n epitaxial wafers are applied in device manufacturing. L'invention concerne une matière de silicium n améliorée pour substrats épitaxiaux et un procédé de production de celle-ci. La matière améliorée permet aux tranches n/n épitaxiales comportant ces substrats de présenter des caractéristiques améliorées de fixation des gaz. Le procédé d'élaboration de cette matière de silicium n comprend l'application d'un codopant de carbone au dopant n habituel du bain de silicium avant de faire croître les cristaux CZ respectifs. Cette opération permet d'améliorer le rendement de la matière de silicium n améliorée dans la croissance des cristaux, et permet d'obtenir finalement une stabilisation des performances de rendement des dispositifs contenant ces tranches épitaxiales n/n.