COATINGS ON REFLECTIVE MASK SUBSTRATES

A process for creating a mask substrate involving depositing: 1) a coating on one or both sides of a low thermal expansion material EUVL mask substrate to improve defect inspection, surface finishing, and defect levels; and 2) a high dielectric coating, on the backside to facilitate electrostatic chucking and to correct for any bowing caused by the stress imbalance imparted by either other deposited coating or the multilayer coating of the mask substrate. A film, such as TaSi, may be deposited on the front side and/or back of the low thermal expansion material before the material coating to balance the stress. The low thermal expansion material with a silicon overlayer and a silicon and/or other conductive underlayer enables improved defect inspection and stress balancing. L'invention concerne un procédé permettant de créer un substrat de masque. Le procédé consiste à déposer : 1) un revêtement sur un ou sur les deux côtés d'un substrat de masque pour lithographie aux ultraviolets extrêmes (EUVL) fait d'une matière à faible dilatation thermique, de manière à améliorer l'inspection des défauts, la finition de surface et les niveaux de défauts ; 2) un revêtement hautement diélectrique, sur l'envers afin de faciliter le tournage en l'air électrostatique et de rectifier tout gauchissement dû au déséquilibre de contrainte provoqué par d'autres revêtements déposés ou par le revêtement multicouche du substrat de masque. Un film, tel qu'un film de TaSi, peut être déposé sur l'avant et/ou sur l'arrière de la matière à faible dilatation thermique avant la pose du revêtement de matière, de manière à équilibrer la contrainte. Cette matière à faible dilatation thermique, pourvue d'une sur-couche de silicium et d'une sous-couche conductrice de silicium et/ou autre, permet une inspection des défauts et un équilibre de contrainte améliorés.