HIGH VOLTAGE MOSFET STRUCTURES

A power MOSFET device that achieves low power loss characteristics by minimizing source-to-drain channel on-resistance, including a semiconductor block having a first and a second surfaces, a source region, a drain region, a drift region (106) within the semiconductor block, and a body region between the first surface and the drift region (106). The device further includes at least one voltage divider (104) disposed within the semiconductor block. The voltage divider has a first end adjacent to the first surface and electrically coupled to the source region, and a second end extending through and electrically coupled to the drain region. La présente invention concerne un transistor MOS de puissance qui présente des caractéristiques de faibles pertes de puissance lorsqu'on réduit au minimum le canal source-drain de la résistance, ce transistor comportant un bloc à semiconducteur présentant une première et une seconde surfaces, une région source, une région drain, et une région (106) de dérive situées dans le bloc à semiconducteur, et une région corps située entre la première surface et la région (106) de dérive. Ce dispositif comprend également au moins un diviseur de tension (104) disposé dans le bloc à semiconducteur. Le diviseur de tension présente une première extrémité à proximité de la première surface électriquement couplée à la région source, et une seconde extrémité s'étendant dans la région drain couplée électriquement à celle-ci.