METHOD AND SIMULATOR FOR SIMULATING THE DEVELOPMENT OF RESIDUAL STRESS IN IAPVD FILMS

L'invention concerne un procédé informatisé de simulation du développement des contraintes résiduelles dans la croissance de pellicules IAPVD, utilisant une analyse par éléments finis, consistant à simuler le développement de contraintes associées à la condensation d'une nième couche de la...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	WILLIAMS, ANDREW, F, WARD, DAVID, J
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL CONTROLLING DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS ORELEMENTS PHYSICS REGULATING SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	L'invention concerne un procédé informatisé de simulation du développement des contraintes résiduelles dans la croissance de pellicules IAPVD, utilisant une analyse par éléments finis, consistant à simuler le développement de contraintes associées à la condensation d'une nième couche de la pellicule, à simuler le développement de contraintes associées au bombardement ionique de l'ensemble de couches de la pellicule, de la nième à la (n-x)ème couche, et à alterner les deux étapes ci-dessus pour n=x à n=N, N étant le nombre de couches dans la pellicule, et x