REACTIVE ION BEAM ETCHING METHOD AND A THIN FILM HEAD FABRICATED USING THE METHOD

A reactive ion beam etching method which employs an oxidizing agent in a plasma contained in an ion source (10) to control carbonaceous deposit (e.g., polymer) formation within the ion source and on the substrate. After operating the ion source with a plasma having a carbonaceous deposit forming species, a plasma (Ar+O2ions) containing an oxidizing agent (species) is generated within the ion source. Preferably, within the ion source a plasma is maintained essentially continuously between the time that the carbonaceous deposit forming species is present and the time that the oxidizing agent is present. Preferably, a reactive ion beam containing an oxidizing species is incident upon the sample at an angle which enhances the selectivity of the carbonaceous deposit (e.g., polymer) etching relative to other materials upon which the ion beam impinges. A thin film magnetic head (52, 54, 56, 58) is fabricated according to a pole (52, 58) trimming process which employs RIBE with an oxidizing species to remove any carbonaceous material (e.g., polymer) deposits formed during a previous fluorocarbon based RIBE step. Dans ce procédé de gravure ionique réactive, on utilise un agent d'oxydation, dans un plasma contenu dans une source ionique, de manière à réguler la formation d'un dépôt carboné (par exemple polymère) dans la source ionique et sur le substrat. Lors du fonctionnement de la source ionique, après commande de cette source à l'aide d'un plasma possédant un élément chimique formant un dépôt carboné, un plasma contenant un agent d'oxydation (élément chimique) est produit dans la source ionique. De préférence, on conserve de manière essentiellement continue un plasma dans la source ionique, entre le moment où l'élément chimique formant le dépôt carboné est présent et le moment où l'agent d'oxydation est présent. On peut diriger sur un substrat échantillon un faisceau ionique réactif extrait d'une source ionique contenant un plasma possédant un élément chimique oxydant, afin d'enlever (c'est-à-dire attaquer) tous dépôts de matériaux carbonés (par exemple polymères) formés sur l'échantillon, comme le dépôt qui peut s'être formé à partir d'étapes précédentes de gravure ionique réactive, dans lesquelles on a utilisé un faisceau ionique possédant un élément chimique pouvant former des dépôts carbonés (par exemple polymère) sur la structure du substrat de l'échantillon. De préférence, le faisceau ionique contenant un élément chimique oxydant est incident sur l'échantil