A METHOD FOR A REPETITIVE ION BEAM PROCESSING WITH A BY CARBON CONTAINING ION BEAM

A method is provided for a repetitive deposition and etch of a substrate using a carbon containing ion beam in a gridded ion source. The method includes the actual ion beam processing step combined with the thermal and chemical conditioning of the ion source and a special cleaning step(s). The speci...

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Hauptverfasser: DRUZ, BORIS, L, HAYES, ALAN, V, WILLIAMS, KURT, E
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A method is provided for a repetitive deposition and etch of a substrate using a carbon containing ion beam in a gridded ion source. The method includes the actual ion beam processing step combined with the thermal and chemical conditioning of the ion source and a special cleaning step(s). The special cleaning step(s) effect robust removal of the precipitates accumulated in the operating source due to the decomposition of carbon containing gases such as hydrocarbons and halocarbons. Precipitate removal is achieved by employing ions and radicals formed in an inert gas plasma or a mixture of inert gas and oxygen to reactively etch or bombard the precipitates. L'invention concerne un procédé répétitif de dépôt et de gravure d'un substrat au moyen d'un faisceau d'ions au carbone dans une source d'ions dotée de grilles. Ce procédé comprend l'étape de traitement par faisceau d'ions proprement dite combinée à un conditionnement thermique et chimique de la source d'ions et à une ou plusieurs étape(s) de nettoyage spécial. Cette/ces étape(s) de nettoyage spécial consiste(nt) à éliminer efficacement les précipités accumulés dans la source opérationnelle, résultant de la décomposition de gaz carbonés tels que les hydrocarbures et halocarbures. Pour éliminer ces précipités on utilise des ions et des radicaux formés dans un plasma de gaz inerte ou dans un mélange de gaz inerte et d'oxygène pour produire un décapage ou un bombardement réactionnel des précipités.