INSULATED-GATE FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE

An insulated-gate field-effect semiconductor device, preferably of the SOI type, has source (3) and drain (4) regions in a semiconductor body portion (1) at a first major surface of a semiconductor substrate (10). The gate-terminal metallisation (25) is present at an opposite second major surface (12) of the substrate (10). A gate connection (15, 55) is present between the gate electrode (5) and the substrate (10) to connect the gate electrode (5) to the gate-terminal metallisation (25). This arrangement permits better use of the layout area for source-terminal and drain-terminal metallisations, and their connections, at the upper major surface (11) of the body portion (1), without introducing an on-resistance penalty. The part of the gate connection provided by the substrate (10) does not increase the on-resistance of the main current path through the device, i.e. between the source (3) and drain (4). Furthermore, a p-n junction diode can be readily integrated between the channel region (2) and the gate connection (15, 55). Cette invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur à effet de champ à grille isolée, de préférence du type à semi-conducteur sur isolant, qui comprend des régions source (3) et drain (4) dans une partie corps de semi-conducteur (1) au niveau d'une première grande surface d'un substrat à semi-conducteur (10). La métallisation (25) de la borne de grille est présente au niveau d'une seconde grande surface opposée (12) du substrat. Une connexion de grille (15, 55) est présente entre l'électrode de grille (5) et le substrat (10), afin de connecter l'électrode de grille (5) à la métallisation (25) de la borne de grille. Cet agencement permet une meilleure utilisation de la zone d'implantation pour les métallisations de la borne source et de la borne drain, ainsi que de leurs connexions, au niveau de la grande surface supérieure (11) de la partie corps (1), sans introduire de pénalité de résistance à l'état passant. La partie de la connexion de grille formée par le substrat (10) n'augmente pas la résistance à l'état passant du trajet de courant principal traversant le dispositif, c'est-à-dire entre la source (3) et le drain (4). En outre, une diode à jonction p-n peut facilement être intégrée entre la région canal (2) et la connexion de grille (15, 55).