SEMICONDUCTOR CLEANING APPARATUS AND METHOD

A method for cleaning a single or at least one wafer. The method includes the steps of heating the at least one wafer, providing a first voltage level to the at least one wafer; and providing a second voltage level, lower than the first voltage level, to an at least one collector wafer, thereby activating the cleaning. An apparatus for cleaning at least one wafer (106), or a single wafer. The apparatus includes a reaction core (102) at least one collector wafer (107), a heating element (105) and means for supplying an electrical potential (166). The means supplies a first voltage level (Vc) to the at least one wafer and a second voltage level (Vb), lower than the first voltage level to the at least one collector wafer, thereby activating cleaning. The means alternatively also provides a third voltage level, lower than the second voltage level, near the reaction core. L'invention concerne un procédé de nettoyage d'une seule plaquette ou d'au moins une plaquette consistant à chauffer au moins une plaquette, à acheminer un premier niveau de tension vers au moins une plaquette et à fournir un second niveau de tension inférieur que le premier niveau de tension à au moins une plaquette de collecte, ce qui active le nettoyage. L'invention concerne aussi un appareil de nettoyage d'au moins une plaquette (106) ou d'une seule plaquette. L'appareil comprend un noyau de réaction (102), au moins une plaquette de collecte (107), un élément chauffant (105) et des moyens d'acheminement du potentiel électrique (166). Les moyens acheminent un premier niveau de tension (Vc) à au moins une plaquette et un second niveau de tension (Vb) inférieur au premier niveau de tension vers au moins une plaquette de collecte ce qui active le nettoyage. Les moyens fournissent aussi selon une autre variante un troisième niveau de tension inférieur au second niveau de tension à proximité du noyau de réaction.