LEAD TITANATE ISOLATION LAYERS FOR USE IN FABRICATING PZT-BASED CAPACITORS AND SIMILAR STRUCTURES

A method for constructing a device (10) having a bottom electrode (18 and 19) in contact with a layer of a ferroelectric dielectric material (20). In the method of the present invention, a layer of a field ferroelectric material (16) is deposited on a substrate and etched to form a trench in which the bottom electrode (18 and 19) is constructed. The bottom electrode (18 and 19) is then deposited and a layer of the ferroelectric dielectric material (20) is deposited over the bottom electrode and at least a portion of the field ferroelectric material (16). The ferroelectric layers (16 and 20) are deposited in a perovskite state. These layers (16 and 20) are etched back to the substrate in those areas that are outside of the device (10). L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif (10) dont l'électrode inférieure (18, 19) est en contact avec une couche d'une matière diélectrique ferroélectrique (20). Selon le procédé, une couche d'une matière de champ ferroélectrique (16) est déposée sur un substrat et attaquée pour former une tranchée dans laquelle l'électrode inférieure (18, 19) est produite pour être ensuite déposée. Une couche de matière diélectrique ferroélectrique (20) est aussi déposée sur l'électrode inférieure (18, 19) et au moins une partie de la matière diélectrique ferroélectrique (16). Les couches ferroélectriques (16, 20) sont déposées à l'état pérovskite. Ces couches (16, 20) sont attaquées sur le substrat dans les zones externes au dispositif.