SILICON NITRIDE-BASED MATERIAL, THE PRODUCTION AND UTILIZATION THEREOF IN MICROWAVE PROCESSES

Die Erfindung beschreibt einen Werkstoff auf der Basis von Siliciumnitrid (Si3N4), welcher gekennzeichnet ist durch einen Gehalt an freiem Silicium von 0,1 bis 40 Gew.-% und durch eine Porosität von bis zu 50 Vol.-%. Vorzugsweise betragen der Sauerstoffgehalt, der Kohlenstoffgehalt und der Gehalt an sonstigen Verunreinigungen jeweils weniger als 3 Gew-%. Der Werkstoff kann kristalline Nebenphasen wie SiC, TiN, TiCN, TiC, ZrN und/oder ZrC enthalten. Verschiedene Herstellungsverfahren für den Werkstoff werden angegeben. Vorzugsweise kommt dabei recycliertes Si3N4 als Ausgangsmaterial zum Einsatz. Der Werkstoff eignet sich insbesondere als Brennhilfsmittel beim Mikrowellensintern. Durch eine Regenerationsbehandlung kann dabei der Gehalt an freiem Si und damit die Einsatzfähigkeit des Werkstoffs wiederhergestellt werden. The invention relates to a material based on silicon nitride (Si3N4) and characterized in that it contains 0.1 to 40 weight percent free silicon and in that it has a porosity of up to 50 percent by volume. The oxygen and carbon content and the content of other impurities is preferably less than 3 percent by weight. The material may contain secondary crystalline phases such as SiC, TiN, TiCN, TiC, ZrN and/or ZrC. Different production methods of said material are also disclosed. Recycled Si3N4 is preferably used as starting material. The material according to the invention is particularly useful as combustion adjuvant in microwave sintering operations. The free Si content and the utilizability of the material can be restored by effecting a regeneration process. L'invention concerne un matériau à base de nitrure de silicium (Si3N4), caractérisé en ce qu'il présente une teneur en silicium libre de 0,1 à 40 % en poids et une porosité atteignant 50 % en volume. De préférence, la teneur en oxygène, la teneur en carbone et la teneur en impuretés diverses sont inférieures à 3 % en poids. Le matériau peut renfermer des phases secondaires cristallisées, telles que SiC, TiN, TiCN, TiC, ZrN et/ou ZrC. Différents procédés de fabrication de ce matériau sont spécifiés. De préférence, on utilise du Si3N4 recyclé comme matériau de départ. Le matériau convient en particulier comme auxiliaire de combustion lors du frittage en hyperfréquences. Par traitement de régénération, la teneur en Si libre et, de ce fait, la capacité d'utilisation du matériau, peut être renouvelée.