REVERSE POLARITY PROTECTION CIRCUIT FOR POWER OUTPUT STAGE WITH AT LEAST ONE HIGHSIDE SEMICONDUCTOR SWITCH
Die Erfindung betrifft eine Verpolschutzschaltung für eine Leistungsendstufe mit mindestens einem Highside-Halbleiterschalter, der eine Ansteuerspannung grösser als das Pluspotential der Versorgungsspannung benötigt und die von einer vorgeordneten Elektronik erzeugt wird, bei der in die Zuleitung de...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
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