REVERSE POLARITY PROTECTION CIRCUIT FOR POWER OUTPUT STAGE WITH AT LEAST ONE HIGHSIDE SEMICONDUCTOR SWITCH

Die Erfindung betrifft eine Verpolschutzschaltung für eine Leistungsendstufe mit mindestens einem Highside-Halbleiterschalter, der eine Ansteuerspannung grösser als das Pluspotential der Versorgungsspannung benötigt und die von einer vorgeordneten Elektronik erzeugt wird, bei der in die Zuleitung de...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BRAUN, PETER, WEBER, MARCELLUS
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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