REVERSE POLARITY PROTECTION CIRCUIT FOR POWER OUTPUT STAGE WITH AT LEAST ONE HIGHSIDE SEMICONDUCTOR SWITCH

Die Erfindung betrifft eine Verpolschutzschaltung für eine Leistungsendstufe mit mindestens einem Highside-Halbleiterschalter, der eine Ansteuerspannung grösser als das Pluspotential der Versorgungsspannung benötigt und die von einer vorgeordneten Elektronik erzeugt wird, bei der in die Zuleitung de...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BRAUN, PETER, WEBER, MARCELLUS
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC,OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWERSUPPLY SYSTEMS BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY CONTROL OR REGULATION THEREOF CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUTPOWER CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER ELECTRICITY EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS GENERATION PULSE TECHNIQUE
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft eine Verpolschutzschaltung für eine Leistungsendstufe mit mindestens einem Highside-Halbleiterschalter, der eine Ansteuerspannung grösser als das Pluspotential der Versorgungsspannung benötigt und die von einer vorgeordneten Elektronik erzeugt wird, bei der in die Zuleitung des Pluspotentials als Verpolschutz ein N-Kanal-Power-FET eingeschleift ist, der bei angesteuerter Leistungsendstufe leitend gesteuert wird. Die Schaltung wird im Teileaufwand dadurch erheblich reduziert, dass die aus der Elektronik (E) dem(n) Highside-Halbleiterschalter(n) (T1, T2, T3, T4) zugeführte(n) Ansteuerspannung(en) zur Steuerung des N-Kanal-Power-FET's (T) des Verpolschutzes zurückgeführt ist (sind). The invention relates to a reverse polarity protection circuit for a power output stage with at least one highside semiconductor switch that requires a control voltage that is greater than the plus potential of the supply network and which is produced by an upstream electronic device. An N channel power FET is connected to the supply line of the plus potential as a protection against reverse polarity. The number of parts required for the circuit is substantially reduced by returning the control voltage(s) that is/are fed by the electronic device (E) to the highside semiconductor switches (T1, T2, T3, T4) in order to control the N channel power FET (T) of the reverse polarity protection system. L'invention concerne un circuit de protection contre l'inversion de polarité destiné à un étage de sortie de puissance doté d'au moins un commutateur à semiconducteurs côté haut potentiel, lequel commutateur nécessite une tension de commande qui est supérieure au potentiel plus de la tension d'alimentation et qui est produite par un dispositif électronique amont. Un transistor à effet de champ de puissance canal N est enroulé dans le câble d'alimentation du potentiel plus comme protection contre l'inversion de polarité. Ce transistor à effet de champ passe à l'état passant lors de la commande de l'étage de sortie de puissance. Pour réduire considérablement le nombre d'éléments du circuit, la/les tension(s) de commande délivrée(s) au(x) commutateur à semiconducteurs côté haut potentiel (T1, T2, T3, T4) par le dispositif électronique (E) est/sont renvoyée(s) pour commander le transistor à effet de champ de puissance canal N (T) de la protection contre l'inversion de polarité.