A DUAL CHANNEL MICROWAVE TRANSMIT/RECEIVE MODULE FOR AN ACTIVE APERTURE OF A RADAR SYSTEM

Two transmit/receive (T/R) channels are implemented in a single T/R module providing combined functions, control and power conditioning while utilizing a single multi-cavity, multi-layer substrate comprised of high temperature cofired ceramic (HTCC) layers. The ceramic layers have outer surfaces for providing three dimensional routing of both shielded RF and DC power and logic control signals. Monolithic microwave integrated circuits, attached to DC power and logic control signals, are located in multilevel cavities formed in the substrate and bonded directly to a heat sink plate, secured to the bottom of the substrate. DC power conditioning is provided by a capacitive bank supplying supplementary power to the module during peak power operation. The T/R module is one module of an array of like T/R modules coupled to an active aperture of a radar system. Deux canaux de transmission/réception (T/R) séparés sont réalisés dans un seul boîtier de module T/R commun ayant la capacité de fournir des fonctions combinées, de commande et de conditionnement d'énergie, tout en utilisant un seul substrat multicouche et multicavité composé de couches de céramique à cuisson conjointe sous haute température (HTCC). Ces couches de céramiques ont des surfaces externes comportant des motifs de métallisation respectifs faits de plans de terre et de conducteurs en ligne microruban ainsi que des passages traversants ou de trous d'interconnexion verticaux ménagés dans ces surfaces pour assurer un acheminement tridimensionnel à la fois des signaux de commande logiques et de courant CC et RF blindés, afin de configurer, entre autres, une paire de coupleurs de signaux de collecteur RF qui sont incorporés dans le substrat et qui assurent la transition avec un ensemble de connecteurs RF à assemblage borgne par pression multibroche, à l'extrémité avant du boîtier. Les signaux de commande d'entrée/sortie logiques et CC sont connectés à plusieurs composants de circuits actifs comprenant des circuits intégrés spécifiques selon l'application (ASIC) et des puces de circuits intégrées à micro-ondes monolytiques (MMIC) par l'intermédiaire de plots de contact à ressort à l'arrière du boîtier. Les circuits MMIC qui génèrent quasiment toute l'énergie thermique sont situés dans des cavités multiniveaux formées dans le substrat et ils sont collés directement à une plaque puits thermique généralement plate qui est fixée dans la partie inférieure du substrat et qui sert d'interface thermique avec un