IC INTERCONNECT STRUCTURES AND METHODS FOR MAKING SAME

Methods and structures are disclosed for advanced interconnects in sub-micron and sub-half-micron integrated circuit devices fabricated using a single damascene process. A dielectric etch-stop layer (e.g., silicon nitride) is deposited subsequent to rather than prior to CMP processing of the previous metallization layer (e.g., the conductive plug). This scheme effectively eliminates the effect of CMP-induced erosion on the etch-stop layer and therefore allows an extremely thin etch stop to be used. Moreover, a high etch-selectivity can be obtained for the trench etch, and all etch-stop material is removed from beneath the interconnect metal, thereby reducing parasitic effects. A patterned dielectric layer is used as a metal cap in place of the standard blanket silicon nitride layer, thus preventing the formation of blisters and bubbles associated with trapped moisture and gasses, and reducing interconnect capacitance. La présente invention concerne des procédés et des structures pour interconnexions perfectionnées destinées à des circuits intégrés d'une taille inférieure au micron et au demi-micron obtenus par une opération de damasquinage unique. Une couche d'arrêt d'attaque diélectrique (par exemple au nitrure de silicium) est déposée après et non avant le polissage chimico-mécanique de la couche précédente de métallisation (tel qu'un bouchon conducteur). Ce système garantit une élimination efficace des effets de l'érosion due au polissage chimico-mécanique sur la couche d'arrêt d'attaque et autorise par la même l'emploi d'une couche d'arrêt d'attaque très mince. De plus, il est possible d'obtenir une sélectivité d'attaque poussée, et tout le matériau d'arrêt d'attaque peut être retiré par dessous le métal d'interconnexion, ce qui réduit les effets parasitaires. On utilise une couche diélectrique à motifs comme coiffe métal au lieu d'une couche de couverture classique de nitrure de silicium, ce qui empêche la formation de cloques et de bulles liées à la présence d'humidité et de gaz emprisonnés et réduit la capacitance de l'interconnexion.