PROCESS FOR THE PRODUCTION OF RADIOISOTOPES OF SELENIUM

A beam of accelerated charged particles irradiates an arsenide target, such as gallium arsenide or aluminum arsenide, to produce radioisotopes of selenium and other radionuclides. The irradiated target is placed in a niobium, tantalum, or graphite vessel (8) and inserted into a tube (1). Metallic re...

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Hauptverfasser: KOKHANYUK, VLADIMIR, M, ZHUIKOV, BORIS, L
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A beam of accelerated charged particles irradiates an arsenide target, such as gallium arsenide or aluminum arsenide, to produce radioisotopes of selenium and other radionuclides. The irradiated target is placed in a niobium, tantalum, or graphite vessel (8) and inserted into a tube (1). Metallic reagents consisting of an alloy of iron, nickel, and chromium (stainless steel) or metallic aluminum are mixed with the target material. The target is then heated to 1000-1100 DEG C. The metallic reagents prevent arsenic sublimation, destroy the crystalline structure of arsenide target, and remove other impurities, such as zinc-65. The target is then heated a second time to about 1300 DEG C causing the selenium-72 to sublime and be deposited on a cooler wall of the tube (1) or on a catcher foil surface (10). The deposited selenium-72 is recovered from the tube (1) or foil (10). Un faisceau de particules chargées soumises à une accélération irradie une cible arséniurée, du type arséniure de gallium ou arséniure d'aluminium, de façon à produire des radio-isotopes de sélénium et d'autres radionucléides. La cible irradiée est placée dans une cuve en niobium, tantale ou graphite et introduite dans un tube. On mélange à la matière cible des réactifs métalliques constitués d'un alliage de fer, de nickel et de chrome (acier inoxydable) ou d'aluminium métallique. Puis on chauffe la cible jusqu'à une température comprise entre 1000 et 1100 DEG C. Les réactifs métalliques empêchent la sublimation de l'arsenic, détruisent la structure cristalline de la cible arséniurée et supprime les autres impuretés, telles que le zinc-65. On chauffe ensuite la cible une seconde fois jusqu'à une température d'environ 1300 DEG C de façon à provoquer la sublimation du sélénium-72 et son dépôt sur une paroi plus froide du tube ou sur une surface de feuille métallique d'un dispositif récepteur. On peut alors récupérer le sélénium-72 qui s'est déposé sur le tube ou la feuille métallique.