Radiation-hardened memory storage unit

A radiation-hardened memory storage unit that is resistant to total ionizing done effects, the unit including PMOS transistors.

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	XIE YANG, YUAN YAJING, ZHANG TIANXU, WANG WEN, LIANG CHAOBING, SANG HONGSHI, ZHANG JING
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A radiation-hardened memory storage unit that is resistant to total ionizing done effects, the unit including PMOS transistors.