Programmable resistance memory

A memory includes a programmable resistance array with high ratio of dynamic range to drift coefficient phase change memory devices.

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	FOURNIER JEFF, LOWREY TYLER, SPALL ED, HENNESSEY MIKE, HUDGENS STEVE, SCHELL CARL, CZUBATYJ WALLY, MAIMON JON
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A memory includes a programmable resistance array with high ratio of dynamic range to drift coefficient phase change memory devices.