Photodetector circuit

A photodetector circuit incorporates an avalanche photodiode (APD) 300 produced by epitaxy on a CMOS substrate 302 with implanted n-well 304 and p-well 306. The n-well 304 has an implanted p+ guard ring 310 delimiting the APD 300. Within the guard ring 310 is an implanted n+ APD layer 312 upon which...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BIRCH STEVEN W, MARSHALL GILLIAN F, ROBBINS DAVID J, LEONG WANG Y
Format: Patent
Sprache:eng
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