Diamond growth method

Preferred embodiments grow a first diamondlike film (114) on a silicon substrate (102). Diamond film (116) is then grown on diamondlike film (114), the diamondlike film (114) providing a high density of nucleation sites (108) for the diamond film (116). Diamond film growth is interrupted and a secon...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PURDES, ANDREW J
Format: Patent
Sprache:eng
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