MAGNETIC DOMAIN WALL SHIFT REGISTER MEMORY DEVICE READOUT

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A memory device includes a first nanowire, a second nanowire and a magnetic tunnel junction device coupling the first and second nanowires.

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: GAIDIS MICHAEL C, GAIDIS ALEXANDER J
Format: Patent
Sprache:eng
Schlagworte:
ELECTRICITY
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Beschreibung
Zusammenfassung:A memory device includes a first nanowire, a second nanowire and a magnetic tunnel junction device coupling the first and second nanowires.