METHOD FOR INCREASE OF STABILITY OF PARAMETERS OF INDIUM ANTYMONIDE MICROCRYSTALS

The invention relates to growth technology of semiconductor materials of microsizes and can be used for production of indium antimonide microcrystals for sensors of magnetic field with increased stability of initial parameters. A method for producing of indium antimonide microcrystals comprises the placing into quarts ampoule of substrate with preliminary applied on its gold, source of indium antimonide, iodine and tin in amount of 0.9±1.1 mg/cm, vacuuming, burning and heating. Proposed method allows to produce high-quality indium antimonide microcrystals with concentration of charge carrier of n~ (6-7)·10cmby alloyed with tin, which are used for producing of magnetic field sensors for which magnetic sensitivity remains practically constant at irradiation of high-energetic neutrons to fluence F =10n·cm. Изобретение касается технологии выращивания полупроводниковых материалов микроразмеров и может быть использовано для получения микрокристаллов антимонида индия для сенсоров магнитного поля с повышенной стабильностью исходных параметров. Способ получения микрокристаллов антимонида индия, в соответствии с которым кварцевую ампулу, в которой размещают подкладку, с предварительно нанесенным на ней золотом, источник антимонида индия, йод и олово в количестве 0,9±1,1 мг/смвакуумируют, зажигают и нагревают. Предложенный способ позволяет получить легированные оловом высококачественные микрокристаллы антимонида индия с концентрацией носителей заряда n~ (6-7)·10см, которые пригодны для изготовления сенсоров магнитного поля, для которых при облучении высокоэнергетическими нейтронами к флюенсу Ф=10н·сммагнитна� Винахід стосується технології вирощування напівпровідникових матеріалів мікророзмірів та може бути використаний для отримання мікрокристалів антимоніду індію для сенсорів магнітного поля з підвищеною стабільністю вихідних параметрів. Спосіб отримання мікрокристалів антимоніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують підкладку, з попередньо нанесеним на неї золотом, джерело антимоніду індію, йод та олово у кількості 0,9±1,1 мг/смвакуумують, запаюють та нагрівають. Запропонований спосіб дозволяє отримати леговані оловом високоякісні мікрокристали антимоніду індію з концентрацією носіїв заряду n~ (6-7)·10см, які придатні для виготовлення сенсорів магнітного поля, для яких при опроміненні високоенергетичними нейтронами до флюенсу Ф=10н·сммагнітна чутливість залишається практично сталою.