SEMICONDUCTOR RADIATING DEVICE
The invention relates to optoelectronics, directly to semiconductor devices that transform electrical energy to coherent radiation. A semiconductor radiating device for a gas-analyzer comprising radiating active elements positioned on the same heat conducting substrate and radiate at maximums of dif...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | The invention relates to optoelectronics, directly to semiconductor devices that transform electrical energy to coherent radiation. A semiconductor radiating device for a gas-analyzer comprising radiating active elements positioned on the same heat conducting substrate and radiate at maximums of different wavelength, n≥2 active elements with p-n barriers radiating at maximums of m≥2 preset wavelength matched for each m≥2 temperature intervals of working range, time and running time of the active elements with p-n barriers are determined using a temperature sensor and/or a microprocessor unit depending on changing temperature of environments. The technical result is obtaining a semiconductor radiating circuit which effectively matched spectral characteristics relative to spectral sensitivity of photoreceiver and/or absorbance spectrum of investigated gas under action of environment temperature within wide range of spectrum and extends range of application.
Винахід належить до оптоелектроніки, безпосередньо до конструювання напівпровідникових приладів, які перетворюють електричну енергію в когерентне випромінювання. Напівпровідниковий випромінюючий пристрій для газоаналізатора, що містить випромінюючі активні елементи, які розміщені на одній теплопровідній основі та випромінюють в максимумах на різних довжинах хвиль, n≥2 активних елементів з р-n-переходами, які випромінюють в максимумах на m≥2 заданих довжинах хвиль, узгоджених для кожного із m≥2 інтервалів температур робочого діапазону, час та тривалість роботи активних елементів з р-n-переходами визначається датчиком температури і/або мікропроцесорним блоком керування в залежності від зміни температури оточуючого середовища. Технічним результатом винаходу є одержання напівпровідникового випромінюючого пристрою, який ефективно узгоджує його спектральні характеристики відносно до спектральної чутливості фотоприймача і/або спектра поглинання досліджуваного газу під дією температури оточуючого середовища у широкому інтервалі температур та значно розширює область використання.[Изобретение относится к оптоэлектронике, непосредственно к конструированию полупроводниковых приборов, которые преобразуют электрическую энергию в когерентное излучение. Полупроводниковое излучающее устройство для газоанализатора, который содержит излучающие активные элементы, которые размещены на одной теплопроводной основе и излучают в максимумах на разных длинах волн, n≥2 активных элементов с р-n-переходами, которые излучают в максимум |
---|