THE METHOD FOR DETERMINING THE CONCENTRATION OF PRECIPITATED OXYGEN IN THE SINGLE CRYSTAL SILICON

The method for determining the concentration of precipitated oxygen in the single crystal silicon includes chemical treatment of the silicon plate which is polished on both sides in HF solution, its irradiation with IR light and measuring of the IR bandwidth by its transmission in the range 1000-120...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Lytovchenko Volodymyr Hryhorovych, Zlobin Serhii Oleksandrovych, Voitovych Maria Volodymyrivna, Lisovskyi Ihor Petrovych
Format: Patent
Sprache:eng ; rus ; ukr
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:The method for determining the concentration of precipitated oxygen in the single crystal silicon includes chemical treatment of the silicon plate which is polished on both sides in HF solution, its irradiation with IR light and measuring of the IR bandwidth by its transmission in the range 1000-1200 cm-1 at Si-Ο valence bonds. The silicon plate while measuring the bandwidth of IR transmission is further cooled to the temperature of liquid nitrogen 77 K, on the basis of registered IR bandwidth of absorption bands it is determined the value of the intensity of the maximum of infrared bandwidth of absorption of precipitated oxygen in silicon IR (~ 1082 ± 3 cm -1) and it is calculated the concentration in the precipitated oxygen in silicon NP using formula 3IR NP = 1018 cm3. Способ определения концентрации преципитированного кислорода в монокристаллическом кремнии включает химическую обработку полированной с обеих сторон пластины кремния в растворе HF, облучение ее ИК светом и измерения полосы ИК пропускания в диапазоне 1000-1200 см-1 на валентных Si-Ο связях. Пластину кремния при измерении полосы ИК пропускания дополнительно охлаждают до температуры жидкого азота 77 К, с зарегистрированной ИК полосы поглощения определяют величину интенсивности максимума ИК полосы поглощения преципитированного кислорода в кремнии ИР (~ 1082 ± 3 см-1) и вычисляют концентрацию преципитированного кислорода в кремнии NP, используя формулу NP = 3ИР 1018 см3. Спосіб визначення концентрації преципітованого кисню в монокристалічному кремнії включає хімічну обробку полірованої з обох сторін пластини кремнію в розчині HF, опромінення її ІЧ світлом і вимірювання смуги ІЧ пропускання в діапазоні 1000-1200 см-1 на валентних Si-Ο зв'язках. Пластину кремнію при вимірюванні смуги ІЧ пропускання додатково охолоджують до температури рідкого азоту 77 К, із зареєстрованої ІЧ смуги поглинання визначають величину інтенсивності максимуму ІЧ смуги поглинання преципітованого кисню в кремнії ІР (~1082±3 см-1) та обчислюють концентрацію преципітованого кисню в кремнії NР, використовуючи формулу NР=3ІР 1018 см3.