METHOD FOR THE PREPARATION OF THERMOELECTRIC THIN FILM MATERIAL BASED ON THE P-S NOTE: BI ON A SUBSTRATE OF MICA

METHOD FOR THE PREPARATION OF THERMOELECTRIC THIN FILM MATERIAL BASED ON THE P-S NOTE: BI ON A SUBSTRATE OF MICA

Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-SnTe:Bi на підкладках слюди, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують на свіжі відколи (0001) слюди-мусковіту при те...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MAKOVYSHYN VOLODYMYR IHOROVYCH, DZUNDZA BOHDAN STEPANOVYCH, ARSENIUK INNA OLEKSANDRIVNA, FREIK DMYTRO MYKHAILOVYCH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus ; ukr
Schlagworte:
MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS
NANOTECHNOLOGY
PERFORMING OPERATIONS
TRANSPORTING
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Спосіб отримання термоелектричного тонкоплівкового матеріалу на основі p-SnTe:Bi на підкладках слюди, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованого легованого бісмутом SnTe і осаджують на свіжі відколи (0001) слюди-мусковіту при температурі випаровуванняі температурі осадження. Температура випаровування -, а температура осадження.