СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ХАЛЬКОГІНІДНИХ МОНОКРИСТАЛІВ

Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури. Синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала здійснюють методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті вздовж кристала 2-3 К/мм з використанням в цьому процесі двох операцій відпалу, першу з яких здійснюють при 1110 К протягом 48 год. та другу при 820 К протягом 100 год., при цьому у проміжку між останніми відпалами охолодження монокристала здійснюють зі швидкістю 0,1-0,15 мм/год.