METHOD FOR GROWTH OF EPITAXIAL NANOHETEROSTRUCTURES WITH SOLIDS OF QUANTIZED POINTS

The invention relates to a method for growth of epitaxial nanoheterostructures with solids of quantized points, comprising the heating to temperature Tmonocrystal substrate and saturated solutions of , brings of face surface of substrate in contact with solution for growth of quantized points, and bringsof back surface of substrate in contact with heat-absorber having temperature T, which on face surface of substrate is made of pulse cooling of, for formation of solid of quantized points on surface of nanodimension "wetting" forming layer, then brings of face surface of substrate in contact with solution for growth of spacer layers at temperature T, constant of material rack of which is coincided with constant of material rack of substrate, and back surface of substrate in contact with heat-absorber having temperature T, which on face surface of substrate is made pulse of cooling for forming of spacer layer, which coated solid of quantized points, multiple repetitive growth of solids of quantized points and which are coated their spacer layers, which thickness provides to tunnel transition of current carrier, isformed of multilayers nanoheterostructures with vertical-connecting quantized points, at that after growth of solids quantized points of back surface of substrate is contacted with heater, which temperature T, which on face surface of substrate is carried out heat pulse offor solution of part of growth "wetting" layer between quantized points and areas of connecting of quantized points in island regions, and value of heat pulses of. Винахід належить до способу вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, що включає нагрів до температуримонокристалічної підкладки і насичених розчинів заданого складу, приведення лицевої поверхні підкладки в контакт з розчином для вирощування квантових точок, а тильної поверхні підкладки - в контакт з теплопоглиначем, що має температуру, який на лицевої поверхні підкладки створює імпульс охолоджування, для формування масиву квантових точок на поверхні нанорозмірного "змочувального" шару, що утворюється, потім приведення лицевої поверхні підкладки при температурів контакт з розчином для вирощування спейсерних шарів, постійна грати матеріалу яких співпадає з постійних ґрат матеріалу підкладки, а тильної поверхні підкладки в контакт з теплопоглиначем, що має температуру, який на лицевій поверхні підкладки створює імпульс охолоджування для формування спейсерного шару, що покриває масив квантових