METHOD FOR OBTAINING Hg-BASED HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTORS

The invention relates to material sciences and may be used in radio engineering, semiconductor optoelectronic instrument making and for needs of the electric power industry. In particular, the invention relates to manufacturing of high-temperature superconductors of homologous series HgbaCan-1Cuno,...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HABRIEL IHOR IHOROVYCH, BOIKO YAROSLAV VASYLIOVYCH, LUTSIV ROMAN VASYLIOVYCH, MOROZOV LEONID MYKHAILOVYCH, MATVIIV MYRON VASYLIOVYCH, BABYCH OREST IOSYPOVYCH, VASIUK MYKOLA MYKOLAIOVYCH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus ; ukr
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:The invention relates to material sciences and may be used in radio engineering, semiconductor optoelectronic instrument making and for needs of the electric power industry. In particular, the invention relates to manufacturing of high-temperature superconductors of homologous series HgbaCan-1Cuno, where n=1, 2, 3..., (Hg-high-temperature semiconductors). A method for obtaining Hg-high-temperature semiconductors is developed, according to the method composite carbonate BaCO, CaCOand oxide Cuo in the stoichiometric relationships 2:2:3 are weighed, the mixture is pressed under 102 atm pressure and wafers having d= , h= are obtained. The manufactured wafers are fused by an electric arc in a reaction chamber on a cooling pan in argon atmosphere under 0,1-0,5 atm. An ingot is cooled, turned in the manner of unfused side upward and fused once more. Fused material is thermally annealed in a flowing oxygen atmosphere under 1 atm pressure and temperature of 910 °C during 24 h, the obtained material is grinned with mercuric oxide in anagate mortar with ratio of mixture is BaCaCuO: Hgo = 1:0.8÷1.0 and pressed forming wafers. The wafers are placed in a quartz vessel which is vacuum-pumped and sealed up, HgbaCaCuOis synthetically generated under temperature of 810 °C during 10 h, the obtained material is annealed in atmosphere of flowing oxygen, under 1 atm 350 °C during 24 h. Винахід належить до галузі матеріалознавства і може бути використаний у радіоелектронному, надпровідниковому, оптоелектронному приладобудуванні та для потреб електроенергетики. Зокрема, винахід стосується виробництва високотемпературних надпровідників ртутного гомологічного ряду HgBaCaCuO, де n=1, 2, 3..., (Hg-вмісні ВТНП). Розроблений спосіб отримання Hg-вмісних високотемпературних надпровідників, за яким наважують складові карбонати ВаСО, СаСОта оксид CuO в стехіометричному співвідношенні 2:2:3, суміш пресують під тиском 10атм і отримують таблетки d=12 мм, h=4 мм. Отримані таблетки плавлять електричною дугою в режимі автотигля в реакційній камері на водоохолоджуваному мідному піддоні в атмосфері аргону при тиску 0,1-0,5 атм. Злиток охолоджують, повертають непроплавленою стороною вверх і повторно плавлять. Проплавлений матеріал термічно відпалюють у потоці кисню при тиску 1 атм, температурі 910 °С протягом 24 годин, отриманий матеріал перетирають в агатовій ступці з оксидом ртуті HgO у співвідношенні BaCaCuО: HgO = 1:0.8÷1.0 та пресують у таблетки. Останні поміщають у кварцову ампулу, яку відкач