METHOD FOR GROWTH OF MONOCRYSTALLS BASED ON SODIUM IODIDE AND CERIUM IODIDE

The invention relates to a technology for growth of monocrystals. A method for growth of monocrystals based on sodium iodide and cesium iodide comprising the charging of starting raw in crucible, its heating in vacuum in growth chamber to predetermined temperature, filling of chamber with inert gas, melting of raw and subsequent growth of crystal at pressure of inert atmosphere 0.01-0.2 atm. A composition of inert atmosphere is changed in volume of growth chamber by means of introduction of 10-20 volume % helium after phase of radial overgrowth and reaching of crystal height, which equal to 0.5 D, were D - diameter of crystal, gradually during 2-4 hours, at maintenance of starting pressure of gas atmosphere in growth chamber. The invention provides the increasing of rate of crystallization and quality of grown crystals thanks to intensification of convective process heat removal from crystal. Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов. Способ выращивания монокристаллов на основе йодида натрия и йодида цезия, который включает загрузку исходного сырья в тигель, его нагревание в вакууме в камере роста до заданной температуры, заполнение камеры инертным газом, расплавление сырья и последующее выращивание кристалла при давлении инертной среды 0,01-0,2 атм. После стадии радиального разрастания и достижения высоты кристалла, которая равна 0,5 D, где D - диаметр кристалла, постепенно, на протяжении 2-4 часов, изменяют состав инертной среды в объеме камеры роста путем введения 10-20 об. % гелия, при сохранении исходного давления газовой атмосферы в камере роста. Изобретение обеспечивает повышение скорости кристаллизации и качества выращенных кристаллов за счет интенсификации процесса конвективного теплоотвода от кристалла. Винахід належить до технології вирощування монокристалів. Спосіб вирощування монокристалів на основі йодиду натрію та йодиду цезію, що включає завантаження вихідної сировини в тигель, його нагрівання в вакуумі в ростовій камері до заданої температури, заповнення камери інертним газом, розплавлення сировини та наступне вирощування кристала при тиску інертного середовища 0,01-0,2 атм. Після стадії радіального розростання та досягнення висоти кристала, що дорівнює 0,5 D, де D - діаметр кристала, поступово, протягом 2-4 годин, змінюють склад інертного середовища в об'ємі ростової камери шляхом введення 10-20 об. % гелію, при збереженні вихідного тиску газової атмосфери в ростовій камері. Винахід забезпечує підвищення швидкості крис