METHOD For PRODUCING MELT FOR GROWING CRYSTALS of lutecium AND gadolinium oxyorthosilicates

The invention relates to the technology of crystals for scintillation materials, which can be used in nuclear physics, medicine and oil industry. A method for melt producing for lutecium and gadolinium oxyorthosilicates crystal growth, cerium doped including mixing the initial components: gadolinium oxides, lutecium, silicon and cerium in stoichiometric ratio, then they are preliminary annealed in air at 1650 ± 10 °C, and maintained at this temperature during 8-10 hours, after which the cooled charge is disposed to the iridic crucible, in which it is melted in an inert environment with the addition of oxygen in the quantity of 0.5-1.0 vol. % and melt is hold during 1.0-1.5 hours before crystal growing. Using the invention allows to obtain crystals with improved scintillation characteristics. Изобретение относится к технологии получения кристаллов для сцинтилляционных материалов, которые могут быть использованы в ядерной физике, медицине и нефтяной промышленности. Способ получения расплава для выращивания кристаллов оксиортосиликатов лютеция и гадолиния, допированных церием, включает смешивание исходных компонентов шихты: оксидов гадолиния, лютеция, кремния и церия в стехиометрическом соотношении, затем их предварительно отжигают на воздухе при 1650 ± 10 °С, выдерживают при этой температуре в течение 8-10 часов, после чего переносят охлажденную шихту в иридиевый тигель, в котором расплавляют ее в инертной среде с добавлением кислорода в количестве 0,5-1,0 об. % и выдерживают расплав в течение 1,0-1,5 часов перед выращиванием кристалла. Использование изобретения позволяет получать кристаллы с улучшенными сцинтилляционными характеристиками. Винахід належить до технології одержання кристалів для сцинтиляційних матеріалів, які можуть бути використані в ядерній фізиці, медицині та нафтовій промисловості. Спосіб одержання розплаву для вирощування кристалів оксіортосилікатів лютецію та гадолінію, допованих церієм, включає змішування вихідних компонентів шихти: оксидів гадолінію, лютецію, кремнію та церію в стехіометричному співвідношенні, потім їх попередньо відпалюють на повітрі при 1650±10 °С, витримують при цій температурі протягом 8-10 годин, після чого переносять охолоджену шихту до іридієвого тигля, в якому розплавляють її в інертному середовищі з додаванням кисню в кількості 0,5-1,0 об. % та витримують розплав протягом 1,0-1,5 годин перед вирощуванням кристала. Використання винаходу дозволяє одержувати кристали з покращеними сцинтиляційними характеристиками