METHOD For PRODUCING Photosensitive epitaxial layers of lead and stannum telluride solid solutions, alloyed with indium

The invention relates to the electronics industry, in particular to the producing of semiconductor elements, photosensitive at the room temperature in the infrared spectrum of electromagnetic radiation. A method for the producing of the photosensitive epitaxial layers of solid solutions of lead and stannum tellurides, alloyed with indium, includes evaporation of the vapor source material in a vacuum and growing of epitaxial layers on the cleaved crystallographic plane (111) of barium fluoride substrate by the hot-wall method. The material of the following chemical composition (PbSn)InTeδ is taken for the evaporation. The invention allows obtaining semiconductor epitaxial layers, photosensitive at the room temperature in the wavelength range between 2-10.5 µm. Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к способам изготовления полупроводниковых элементов, фоточувствительных при комнатной температуре в инфракрасной области спектра электромагнитного излучения. Способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев твердых растворов теллуридов свинца и олова, легированных индием включает испарения материала источника пара в вакууме и выращивание методом горячей стенки эпитаксиальных слоев на сколотой в кристаллографической плоскости (111) подложке из фторида бария. Для испарения берут материал соответствующего химического состава (РbSn)InТеδ. Изобретение позволяет получать полупроводниковые эпитаксиальные слои, фоточувствительные при комнатной температуре в диапазоне длин волн 2-10,5 мкм. Винахід належить до електронної промисловості, а саме до способів виготовлення напівпровідникових елементів, фоточутливих при кімнатній температурі в інфрачервоній області спектра електромагнітного випромінювання. Спосіб одержання фоточутливих епітаксійних шарів твердих розчинів телуридів свинцю і олова, легованих індієм включає випаровування матеріалу джерела пари у вакуумі і вирощування методом гарячої стінки епітаксійних шарів на сколотій в кристалографічній площині (111) підкладці з фториду барію. Для випаровування беруть матеріал відповідного хімічного складу (РbSn)ІnТеδ. Винахід дозволяє одержувати напівпровідникові епітаксійні шари, фоточутливі при кімнатній температурі в діапазоні довжин хвиль 2-10,5 мкм.