GENERATOR ON BASE OF UNIJUNCTION TRANSISTOR

A generator on the base of a unijunction transistor comprises a unijunction transistor on the base of n-type semiconductor with two base contacts and an emitter p-n-p junction between thereof. The base contact to the modulated part of the base of unijunction transistor serves as p-n junction. Генера...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	VEREMIOVA HANNA VIKTORIVNA, KURMASHEV SHAMIL DZHAMASHEVYCH, VIKULIN IVAN MYKHAILOVYCH, POLIAKOV SERHII MYKOLAIOVYCH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A generator on the base of a unijunction transistor comprises a unijunction transistor on the base of n-type semiconductor with two base contacts and an emitter p-n-p junction between thereof. The base contact to the modulated part of the base of unijunction transistor serves as p-n junction. Генератор на основе однопереходного транзистора содержит однопереходный транзистор на основе полупроводника n-типа с двумя базовыми контактами и эмиттерным p-n-р переходом между ними. Базовый контакт к модулированной части основы однопереходного транзистора представляет собой второй р-n-переход. Генератор на основі одноперехідного транзистора містить одноперехідний транзистор на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними. Базовий контакт до модульованої частини основи одноперехідного транзистора являє собою другий р-n-перехід.