METHOD FOR PRODUCING MICROCRYSTALS OF INDIUM ANTIMONIDE

The invention relates to a technology of semi-conducting materials based on microcrystals of indium antimonide. A method for producing indium antimonide comprises the vacuuming of quarts ampoule to pressure in ampoule no more than (0,9-1,1) ·10-4 Pa, solder and heating, at that in ampoule is placed cleaned substrate with preliminary applied on it metal-catalyst - gold and source of indium antimonide. A quartz ampoule is filled with transport gas - iodine - and is used temperature conditions which procurement of growth of microcrystals of indium antimonide: temperature of source of starting components (815±5) °C, and temperature of crystallization zone (455±5) °C. The use of the invention allows to obtain microcrystals of indium antimonide of rectangular of high monocrystal which is necessary for formation of sensitive elements of sensors of magnetic field, and provides decrease of consumptions of the electric power and time. Изобретение относится к технологи полупроводниковых материалов на основе микрокристаллов антимонида индия. Способ получения микрокристаллов антимонида индия, в соответствии с которым кварцевую ампулу, в которой располагают очищенную подкладку, с предварительно нанесенным на нее металлом-катализатором - золотом, и источник антимонида индия, вакуумируют до давления в ампуле не более (0,9-1,1)·10-4 Па, запаивают и нагревают. Кварцевую ампулу заполняют транспортным газом - йодом - и используют температурный режим, который способствует росту микрокристаллов антимонида индия: температура источника исходных компонентов (815±5) °С, а температура зоны кристаллизации (455±5) °С. Использование изобретения позволяет получать микрокристаллы антимонида индия прямоугольной формы высокой монокристалличности, которые необходимы для создания чувствительных элементов сенсоров магнитного поля, и обеспечивает уменьшение затрат электроэнергии и времени. Винахід належить до технології напівпровідникових матеріалів на основі мікрокристалів антимоніду індію. Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію, за яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором золотом, та джерело антимоніду індію, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9-1,1)·10-4 Па, запаюють та нагрівають. Кварцову ампулу заповнюють транспортним газом - йодом - та застосовують температурний режим, який сприяє росту мікрокристалів антимоніду індію: температура джерела вихідних компонентів (815±5) °С, а температура зони кристаліз