METHOD FOR THE PRODUCTION OF PROBES FOR SCANNING TUNNELING MICROSCOPY

A method for the production of probes for scanning tunneling microscopy involves manufacturing of probe point with use of diamond monocrystal grown on seed, and fixturing the probe point in the body. Diamond crystal with electrical resistance of 1010Ohm·m and boron admixture concentration no less th...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	IVAKHNENKO SERHII OLEKSIIOVYCH, SHATOKHIN VOLODYMYR VOLODYMYROVYCH, PASCHENKO YEVHEN OLEKSANDROVYCH, CHEPUHOV OLEKSII PAVLOVYCH, TSYSAR MAKSYM OLEKSANDROVYCH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBEMICROSCOPY [SPM] MEASURING PHYSICS SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS TESTING
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	A method for the production of probes for scanning tunneling microscopy involves manufacturing of probe point with use of diamond monocrystal grown on seed, and fixturing the probe point in the body. Diamond crystal with electrical resistance of 1010Ohm·m and boron admixture concentration no less than 10cmis used for probe point manufacturing. Способ изготовления зондов для сканирующей туннельной микроскопии включает изготовление острия зонда с использованием монокристалла алмаза, который выращивают на затравке, и его закрепление в металлическом корпусе. Для изготовления острия зонда используют кристалл алмаза, который имеет электрическое сопротивление 1010Ом·м, с концентрацией примеси бора не менее чем 10см. Спосіб виготовлення зондів для скануючої тунельної мікроскопії включає виготовлення вістря зонда з використанням монокристалу алмазу, який вирощують на затравці, та його закріплення у металевому корпусі. Для виготовлення вістря зонда використовують кристал алмазу, який має електричний опір 1010Ом·м, з концентрацією домішки бору не менше ніж 10см.