METHOD FOR HEAT TREATMENT OF ACTIVATED CRYSTALS OF ZINC SELENIDE
The invention relates to obtaining of crystal scintillation materials, which are used in electronic and nuclear instrument-making in structure of detectors of ionizing radiations. A method for heat treatment of activated crystals of zinc selenide comprises the preliminary annealing of crystals in hy...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus ; ukr |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | Hryniov Borys Vyktorovych Ryzhykov Volodymyr Diomydovych Katrunov Kostiantyn Oleksiiovych Halkin Serhii Mykolaiovych Lalaiants Oleksandr Ivanovych Starzhynskyi Mykola Hryhorovych Halchinetskyi Leonid Pavlovych |
| description | The invention relates to obtaining of crystal scintillation materials, which are used in electronic and nuclear instrument-making in structure of detectors of ionizing radiations. A method for heat treatment of activated crystals of zinc selenide comprises the preliminary annealing of crystals in hydrogen at the temperature of 150-250 °C during 8-10 hours and further annealing of crystals in saturated zinc vapor at the temperature of 950-1000 °C during 24-48 hours with further two-stage cooling at first to the temperature of 600±10 °C with rate 100±10 °C/minute, then to the room temperature with rate 2-3 °C/minute. A method allows to improve scintillation characteristics material - to increase light output, to increase speed, to improve uniformity, and also to increase reproduction of these characteristics.
Изобретение относится к области получения кристаллических сцинтилляционных материалов, которые в составе детекторов ионизирующих излучений используются в электронном и ядерном приборостроении. Способ термообработки активированных кристаллов селенида цинка включает предварительный отжиг кристаллов в водороде при температуре 150-250 °С на протяжении 8-10 часов и дальнейший отжиг кристаллов в насыщенном паре цинка при температуре 950-1000 °С на протяжении 24-48 часов с дальнейшим двухстадийным охлаждением сначала до температуры 600±10 °С со скоростью 100±10 °С/мин., потом до комнатной температуры со скоростью 2-3 °С/мин. Способ позволяет улучшить сцинтилляционные характеристики материала - увеличить световой выход, увеличить быстродействие, улучшить однородность, а также повысить воспроизведение этих характеристик.
Винахід належить до галузі одержання кристалічних сцинтиляційних матеріалів, які в складі детекторів іонізуючих випромінювань використовуються в електронному і ядерному приладобудуванні. Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку включає попередній відпал кристалів у водні при температурі 150-250 °С протягом 8-10 годин і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв. Спосіб дозволяє поліпшити сцинтиляційні характеристики матеріалу - збільшити світловий вихід, підвищити швидкодію, покращати однорідність, а також підвищити відтворюваність цих характеристик. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_UA89341C2</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>UA89341C2</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_UA89341C23</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZHDwdQ3x8HdRcPMPUvBwdQxRCAkCkr6ufiEK_m4Kjs4hnmGOIa4uCs5BkcEhjj7BINEoTz9nhWBXH1c_TxdXHgbWtMSc4lReKM3NIOfmGuLsoZtakB-fWlyQmJyal1oSH-poYWlsYuhsZExQAQCj9ylU</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD FOR HEAT TREATMENT OF ACTIVATED CRYSTALS OF ZINC SELENIDE</title><source>esp@cenet</source><creator>Hryniov Borys Vyktorovych ; Ryzhykov Volodymyr Diomydovych ; Katrunov Kostiantyn Oleksiiovych ; Halkin Serhii Mykolaiovych ; Lalaiants Oleksandr Ivanovych ; Starzhynskyi Mykola Hryhorovych ; Halchinetskyi Leonid Pavlovych</creator><creatorcontrib>Hryniov Borys Vyktorovych ; Ryzhykov Volodymyr Diomydovych ; Katrunov Kostiantyn Oleksiiovych ; Halkin Serhii Mykolaiovych ; Lalaiants Oleksandr Ivanovych ; Starzhynskyi Mykola Hryhorovych ; Halchinetskyi Leonid Pavlovych</creatorcontrib><description>The invention relates to obtaining of crystal scintillation materials, which are used in electronic and nuclear instrument-making in structure of detectors of ionizing radiations. A method for heat treatment of activated crystals of zinc selenide comprises the preliminary annealing of crystals in hydrogen at the temperature of 150-250 °C during 8-10 hours and further annealing of crystals in saturated zinc vapor at the temperature of 950-1000 °C during 24-48 hours with further two-stage cooling at first to the temperature of 600±10 °C with rate 100±10 °C/minute, then to the room temperature with rate 2-3 °C/minute. A method allows to improve scintillation characteristics material - to increase light output, to increase speed, to improve uniformity, and also to increase reproduction of these characteristics.
Изобретение относится к области получения кристаллических сцинтилляционных материалов, которые в составе детекторов ионизирующих излучений используются в электронном и ядерном приборостроении. Способ термообработки активированных кристаллов селенида цинка включает предварительный отжиг кристаллов в водороде при температуре 150-250 °С на протяжении 8-10 часов и дальнейший отжиг кристаллов в насыщенном паре цинка при температуре 950-1000 °С на протяжении 24-48 часов с дальнейшим двухстадийным охлаждением сначала до температуры 600±10 °С со скоростью 100±10 °С/мин., потом до комнатной температуры со скоростью 2-3 °С/мин. Способ позволяет улучшить сцинтилляционные характеристики материала - увеличить световой выход, увеличить быстродействие, улучшить однородность, а также повысить воспроизведение этих характеристик.
Винахід належить до галузі одержання кристалічних сцинтиляційних матеріалів, які в складі детекторів іонізуючих випромінювань використовуються в електронному і ядерному приладобудуванні. Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку включає попередній відпал кристалів у водні при температурі 150-250 °С протягом 8-10 годин і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв. Спосіб дозволяє поліпшити сцинтиляційні характеристики матеріалу - збільшити світловий вихід, підвищити швидкодію, покращати однорідність, а також підвищити відтворюваність цих характеристик.</description><language>eng ; rus ; ukr</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F ; COMPOUNDS THEREOF ; CRYSTAL GROWTH ; INORGANIC CHEMISTRY ; METALLURGY ; NON-METALLIC ELEMENTS ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2010</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20100111&DB=EPODOC&CC=UA&NR=89341C2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20100111&DB=EPODOC&CC=UA&NR=89341C2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Hryniov Borys Vyktorovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Ryzhykov Volodymyr Diomydovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Katrunov Kostiantyn Oleksiiovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Halkin Serhii Mykolaiovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Lalaiants Oleksandr Ivanovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Starzhynskyi Mykola Hryhorovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Halchinetskyi Leonid Pavlovych</creatorcontrib><title>METHOD FOR HEAT TREATMENT OF ACTIVATED CRYSTALS OF ZINC SELENIDE</title><description>The invention relates to obtaining of crystal scintillation materials, which are used in electronic and nuclear instrument-making in structure of detectors of ionizing radiations. A method for heat treatment of activated crystals of zinc selenide comprises the preliminary annealing of crystals in hydrogen at the temperature of 150-250 °C during 8-10 hours and further annealing of crystals in saturated zinc vapor at the temperature of 950-1000 °C during 24-48 hours with further two-stage cooling at first to the temperature of 600±10 °C with rate 100±10 °C/minute, then to the room temperature with rate 2-3 °C/minute. A method allows to improve scintillation characteristics material - to increase light output, to increase speed, to improve uniformity, and also to increase reproduction of these characteristics.
Изобретение относится к области получения кристаллических сцинтилляционных материалов, которые в составе детекторов ионизирующих излучений используются в электронном и ядерном приборостроении. Способ термообработки активированных кристаллов селенида цинка включает предварительный отжиг кристаллов в водороде при температуре 150-250 °С на протяжении 8-10 часов и дальнейший отжиг кристаллов в насыщенном паре цинка при температуре 950-1000 °С на протяжении 24-48 часов с дальнейшим двухстадийным охлаждением сначала до температуры 600±10 °С со скоростью 100±10 °С/мин., потом до комнатной температуры со скоростью 2-3 °С/мин. Способ позволяет улучшить сцинтилляционные характеристики материала - увеличить световой выход, увеличить быстродействие, улучшить однородность, а также повысить воспроизведение этих характеристик.
Винахід належить до галузі одержання кристалічних сцинтиляційних матеріалів, які в складі детекторів іонізуючих випромінювань використовуються в електронному і ядерному приладобудуванні. Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку включає попередній відпал кристалів у водні при температурі 150-250 °С протягом 8-10 годин і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв. Спосіб дозволяє поліпшити сцинтиляційні характеристики матеріалу - збільшити світловий вихід, підвищити швидкодію, покращати однорідність, а також підвищити відтворюваність цих характеристик.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F</subject><subject>COMPOUNDS THEREOF</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>INORGANIC CHEMISTRY</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>NON-METALLIC ELEMENTS</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2010</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHDwdQ3x8HdRcPMPUvBwdQxRCAkCkr6ufiEK_m4Kjs4hnmGOIa4uCs5BkcEhjj7BINEoTz9nhWBXH1c_TxdXHgbWtMSc4lReKM3NIOfmGuLsoZtakB-fWlyQmJyal1oSH-poYWlsYuhsZExQAQCj9ylU</recordid><startdate>20100111</startdate><enddate>20100111</enddate><creator>Hryniov Borys Vyktorovych</creator><creator>Ryzhykov Volodymyr Diomydovych</creator><creator>Katrunov Kostiantyn Oleksiiovych</creator><creator>Halkin Serhii Mykolaiovych</creator><creator>Lalaiants Oleksandr Ivanovych</creator><creator>Starzhynskyi Mykola Hryhorovych</creator><creator>Halchinetskyi Leonid Pavlovych</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20100111</creationdate><title>METHOD FOR HEAT TREATMENT OF ACTIVATED CRYSTALS OF ZINC SELENIDE</title><author>Hryniov Borys Vyktorovych ; Ryzhykov Volodymyr Diomydovych ; Katrunov Kostiantyn Oleksiiovych ; Halkin Serhii Mykolaiovych ; Lalaiants Oleksandr Ivanovych ; Starzhynskyi Mykola Hryhorovych ; Halchinetskyi Leonid Pavlovych</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_UA89341C23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus ; ukr</language><creationdate>2010</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F</topic><topic>COMPOUNDS THEREOF</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>INORGANIC CHEMISTRY</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>NON-METALLIC ELEMENTS</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Hryniov Borys Vyktorovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Ryzhykov Volodymyr Diomydovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Katrunov Kostiantyn Oleksiiovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Halkin Serhii Mykolaiovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Lalaiants Oleksandr Ivanovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Starzhynskyi Mykola Hryhorovych</creatorcontrib><creatorcontrib>Halchinetskyi Leonid Pavlovych</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Hryniov Borys Vyktorovych</au><au>Ryzhykov Volodymyr Diomydovych</au><au>Katrunov Kostiantyn Oleksiiovych</au><au>Halkin Serhii Mykolaiovych</au><au>Lalaiants Oleksandr Ivanovych</au><au>Starzhynskyi Mykola Hryhorovych</au><au>Halchinetskyi Leonid Pavlovych</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD FOR HEAT TREATMENT OF ACTIVATED CRYSTALS OF ZINC SELENIDE</title><date>2010-01-11</date><risdate>2010</risdate><abstract>The invention relates to obtaining of crystal scintillation materials, which are used in electronic and nuclear instrument-making in structure of detectors of ionizing radiations. A method for heat treatment of activated crystals of zinc selenide comprises the preliminary annealing of crystals in hydrogen at the temperature of 150-250 °C during 8-10 hours and further annealing of crystals in saturated zinc vapor at the temperature of 950-1000 °C during 24-48 hours with further two-stage cooling at first to the temperature of 600±10 °C with rate 100±10 °C/minute, then to the room temperature with rate 2-3 °C/minute. A method allows to improve scintillation characteristics material - to increase light output, to increase speed, to improve uniformity, and also to increase reproduction of these characteristics.
Изобретение относится к области получения кристаллических сцинтилляционных материалов, которые в составе детекторов ионизирующих излучений используются в электронном и ядерном приборостроении. Способ термообработки активированных кристаллов селенида цинка включает предварительный отжиг кристаллов в водороде при температуре 150-250 °С на протяжении 8-10 часов и дальнейший отжиг кристаллов в насыщенном паре цинка при температуре 950-1000 °С на протяжении 24-48 часов с дальнейшим двухстадийным охлаждением сначала до температуры 600±10 °С со скоростью 100±10 °С/мин., потом до комнатной температуры со скоростью 2-3 °С/мин. Способ позволяет улучшить сцинтилляционные характеристики материала - увеличить световой выход, увеличить быстродействие, улучшить однородность, а также повысить воспроизведение этих характеристик.
Винахід належить до галузі одержання кристалічних сцинтиляційних матеріалів, які в складі детекторів іонізуючих випромінювань використовуються в електронному і ядерному приладобудуванні. Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку включає попередній відпал кристалів у водні при температурі 150-250 °С протягом 8-10 годин і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв. Спосіб дозволяє поліпшити сцинтиляційні характеристики матеріалу - збільшити світловий вихід, підвищити швидкодію, покращати однорідність, а також підвищити відтворюваність цих характеристик.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus ; ukr |
| recordid | cdi_epo_espacenet_UA89341C2 |
| source | esp@cenet |
| subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSESC01D OR C01F COMPOUNDS THEREOF CRYSTAL GROWTH INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY NON-METALLIC ELEMENTS PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
| title | METHOD FOR HEAT TREATMENT OF ACTIVATED CRYSTALS OF ZINC SELENIDE |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-07T08%3A28%3A45IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Hryniov%20Borys%20Vyktorovych&rft.date=2010-01-11&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EUA89341C2%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |