METHOD FOR HEAT TREATMENT OF ACTIVATED CRYSTALS OF ZINC SELENIDE

The invention relates to obtaining of crystal scintillation materials, which are used in electronic and nuclear instrument-making in structure of detectors of ionizing radiations. A method for heat treatment of activated crystals of zinc selenide comprises the preliminary annealing of crystals in hydrogen at the temperature of 150-250 °C during 8-10 hours and further annealing of crystals in saturated zinc vapor at the temperature of 950-1000 °C during 24-48 hours with further two-stage cooling at first to the temperature of 600±10 °C with rate 100±10 °C/minute, then to the room temperature with rate 2-3 °C/minute. A method allows to improve scintillation characteristics material - to increase light output, to increase speed, to improve uniformity, and also to increase reproduction of these characteristics. Изобретение относится к области получения кристаллических сцинтилляционных материалов, которые в составе детекторов ионизирующих излучений используются в электронном и ядерном приборостроении. Способ термообработки активированных кристаллов селенида цинка включает предварительный отжиг кристаллов в водороде при температуре 150-250 °С на протяжении 8-10 часов и дальнейший отжиг кристаллов в насыщенном паре цинка при температуре 950-1000 °С на протяжении 24-48 часов с дальнейшим двухстадийным охлаждением сначала до температуры 600±10 °С со скоростью 100±10 °С/мин., потом до комнатной температуры со скоростью 2-3 °С/мин. Способ позволяет улучшить сцинтилляционные характеристики материала - увеличить световой выход, увеличить быстродействие, улучшить однородность, а также повысить воспроизведение этих характеристик. Винахід належить до галузі одержання кристалічних сцинтиляційних матеріалів, які в складі детекторів іонізуючих випромінювань використовуються в електронному і ядерному приладобудуванні. Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку включає попередній відпал кристалів у водні при температурі 150-250 °С протягом 8-10 годин і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв. Спосіб дозволяє поліпшити сцинтиляційні характеристики матеріалу - збільшити світловий вихід, підвищити швидкодію, покращати однорідність, а також підвищити відтворюваність цих характеристик.