METHOD FOR PROCESSING IONIZING RADIATION DETECTORS BASED ON CDZNTE MONOCRYSTALS

A method for processing the ionizing radiation semiconductor detectors based on cadmium-zinc-tellurium solid solutions includes mechanical and chemical processing of the plates of detector, with application of contacts and with fixation in the body. The semiconductor detector (crystal) after fixed time of operation is isothermally annealed in atmosphere of argon within temperature range of 60-200 °C for 3-0.5 hours. Способ обработки полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения на основе твердых растворов кадмий-цинк-теллур включает механическую и химическую обработку пластин детектора, нанесение контактов и закрепление в корпусе. Полупроводниковый детектор (кристалл) после определенного времени эксплуатации изотермически отжигают в атмосфере аргона в диапазоне температур 60-200 °C в течение 3-0,5 часов. Спосіб обробки напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання на основі твердих розчинів кадмій-цинк-телур включає механічну та хімічну обробку пластин детектора, нанесення контактів та закріплення в корпусі. Напівпровідниковий детектор (кристал) після визначеного часу експлуатації ізотермічно відпалюють в атмосфері аргону у діапазоні температур 60-200 °C протягом 3-0,5 години.