METHOD FOR MANUFACTURING OHM CONTACT TO INP TA GAAS

A method for manufacturing an ohm contact to InP and GaAs comprises cleaning a plate, to which the following layers in vacuum in extend of one process cycle are sputtered: gold, germanium, borides refractory metal nitride and external gold layer; thereafter in inert atmosphere the rapid thermal annealing of all structure is performed. First, a gold layer is sputtered, then, germanium layer, layers of the same thickness, the total thickness thereof is 40-60 nm, thickness of borides layer or refractory metal layer nitride is 100-200 nm; rapid annealing is performed under the temperature of 410-440 °C during 10-30 s. Способ создания омического контакта к InP та GaAs включает очистку пластины, на которую в вакууме в одном технологическом цикле напыляют слои золота, германия, боридов или нитрида тугоплавкого металла и внешний контактный слой золота, после чего в инертной атмосфере проводят быстрый термический отжиг всей структуры. Напыляют сначала слой золота, а затем слой германия одинаковой толщины, суммарная толщина которых составляет 40-60 нм, толщина слоя боридов или нитрида тугоплавкого металла составляет 100-200 нм, а быстрый термический отжиг структуры проводят при температуре 410- в течение 10-30 с. Спосіб створення омічного контакту до ІnР та GaAs включає очищення пластини, на яку у вакуумі в одному технологічному циклі напилюють шари золота, германію, бориду або нітриду тугоплавкого металу та зовнішній контактний шар золота, після чого в інертній атмосфері проводять швидкий термічний відпал всієї структури. Напилюють спочатку шар золота, а потім шар германію однакових товщин, сумарна товщина яких складає 40-60 нм, товщина шару бориду або нітриду тугоплавкого метала становить 100-200 нм, а швидкий термічний відпал структури проводять при температурі 410- з тривалістю 10-30 с.