METHOD FOR PRODUCTION OF PROBES OF SCANNING TUNNEL ELECTRON MICROSCOPY

A method for production of probes for scanning tunnel electron microscopy includes production of the tip of the probe with use of diamond monocrystal grown on seed with application of high pressure and temperature to the growth cell by method of temperature gradient between the source of carbon and...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: IVAKHNENKO SERHII OLEKSIIOVYCH, CHEPUHOV OLEKSII PAVLOVYCH, TSYSAR MAKSYM OLEKSANDROVYCH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus ; ukr
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A method for production of probes for scanning tunnel electron microscopy includes production of the tip of the probe with use of diamond monocrystal grown on seed with application of high pressure and temperature to the growth cell by method of temperature gradient between the source of carbon and the seed crystal. To make the tip of the probe a crystal of diamond is used that has semiconductor properties and concentration of boron admixture not less than 10cm. Способ изготовления зондов для сканирующей туннельной микроскопии включает изготовление острия зонда с использованием монокристалла алмаза, который выращивают на затравке с приложением к ростовой ячейке высоких давления и температуры методом температурного градиента между источником углерода и затравочным кристаллом. Для изготовления острия зонда используют кристалл алмаза, который имеет полупроводниковые свойства и концентрацию примеси бора не меньше чем 10см. Спосіб виготовлення зондів для скануючої тунельної мікроскопії включає виготовлення вістря зонда з використанням монокристалу алмазу, який вирощують на затравці з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом температурного градієнта між джерелом вуглецю та затравочним кристалом. Для виготовлення вістря зонда використовують кристал алмазу, який має напівпровідникові властивості та концентрацію домішки бору не менш ніж 10cм.