PHOTODETECTOR

A photodetector comprises a measuring bridge comprises four elements in arms and photodetectors. Field-effect photo transistors are used for said four elements, as two phototransistors with positive photosensitivity located in opposite bridge arms MDS-transistors are used, and as two another with negative photosensitivity the MDS-transistors are used having a semiconductor layer between the metal and dielectric of transistor gate. Фотоприемное устройство содержит измерительный мост из четырех элементов в плечах и фотоприемники. В качестве всех четырех элементов использованы полевые фототранзисторы, причем в качестве двух фототранзисторов с положительным знаком фоточувствительности, расположенных в противоположных плечах моста, используются МДП-фототранзисторы, а в качестве двух других, с отрицательным знаком фоточувствительности, используются МДП-фототранзисторы с прослойкой полупроводника между металлом и диэлектриком затвора. Фотоприймальний пристрій містить вимірювальний міст з чотирьох елементів в плечах та фотоприймачі. Як всі чотири елементи використано польові фототранзистори, причому як два фототранзистори з позитивним знаком фоточутливості, розташованих в протилежних плечах мосту, використовуються МДН-фототранзистори, а як два інших, з негативним знаком фоточутливості, використовуються МДН-фототранзистори з прошарком напівпровідника проміж металом та діелектриком затвору.