MATERIAL BASED ON SINGLE CRYSTAL OF Cu7GeSe5I COPPER PENTA-SELENOGERMANATE IODIDE FOR HARD ELECTROLYTIC ENERGY SOURCE

The invention proposes material based on single crystal of Cu7GeSe5I copper penta-selenogermanate iodide for hard-electrolytic energy source having high ionic conductivity and low energy of conductivity activation. Материал на основе монокристалла йодид-пентаселеногерманата меди CuGeSeI для твердоэл...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KOHAN OLEKSANDR PAVLOVYCH, MINETS YURII VASYLIOVYCH, BILANCHUK VASYL VASYLIOVYCH, STUDENIAK IHOR PETROVYCH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; rus ; ukr
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRICITY PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSIONOF CHEMICAL INTO ELECTRICAL ENERGY
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	The invention proposes material based on single crystal of Cu7GeSe5I copper penta-selenogermanate iodide for hard-electrolytic energy source having high ionic conductivity and low energy of conductivity activation. Материал на основе монокристалла йодид-пентаселеногерманата меди CuGeSeI для твердоэлектролитического источника энергии, который имеет высокую ионную электропроводность и низкую энергию активации проводимости. Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді CuGeSeI для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.