Process for growing single crystals of Copper (I) PENTAthiophosphate (V) BROMIDE Cu6PS5Br by technique of directional crystallization from the melt

A process for growing single crystals of copper (I) pentathiophosphate (V) bromide CuPSBr by technique of directional crystallization from the melt includes stage heating the evacuated quartz ampoules containing initial components copper, phosphorus, sulfur, and also pre-synthesized CuBr in the desired stoichiometric ratio. Heating is carried out to a maximum temperature and the melt is maintained at this temperature for 24 h. with following growing single crystals. The maximum temperature of the synthesis is 1330 K. The growing is carried out with the growing rate of 3 mm/day in ampoules with the tapered end. Способ выращивания монокристаллов меди (I) пентатиофосфата (V) бромида CuPSBr методом направленной кристаллизации из расплава включает ступенчатый нагрев вакуумированных кварцевых ампул, содержащих исходные компоненты медь, фосфор, серу, а также предварительно синтезированный CuBr в необходимом стехиометрическом соотношении. Нагрев производят до максимальной температуры и расплав выдерживают при этой температуре в течение 24 час. с последующим выращиванием монокристаллов. Максимальная температура синтеза составляет 1330 К. Выращивание производится со скоростью 3 мм/сутки в ампулах с коническим концом. Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду CuPSBr методом спрямованої кристалізації з розплаву включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні. Нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі протягом 24 год. з подальшим вирощуванням монокристалів. Максимальна температура синтезу становить 1330 К. Вирощування проводиться зі швидкістю 3 мм/добу у ампулах з конічним кінцем.