DEVICE for growing crystals from the Melt WITH VARIABLE TEMPERATURE GRADIENT in the CRYSTALLIZATION area

A device for growing crystals from the melt with a variable temperature gradient in the crystallization area, consisting of two thermally insulated heating resistors of the system of ART-3 controlled heating with thermocouples, motion device, sealed container containing substances, at that in the cr...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HORICHOK IHOR VOLODYMYROVYCH, LIUBA TETIANA SERHIIVNA, RACHKOVSKYI OLEH MYKHAILOVYCH, FREIK DMYTRO MYKHAILOVYCH, KRYSKOV TSEZARII ANDRIIOVYCH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus ; ukr
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A device for growing crystals from the melt with a variable temperature gradient in the crystallization area, consisting of two thermally insulated heating resistors of the system of ART-3 controlled heating with thermocouples, motion device, sealed container containing substances, at that in the crystallization area the tube is placed between the heaters, heat-carrying agent in the process of moving through this removes some of the heat by changing the value of the temperature gradient. Устройство с переменным градиентом температуры в области кристаллизации для выращивания кристаллов из расплава, состоящего из двух термоизолированных нагревателей сопротивления, системы контролируемого нагрева ВРТ-3 с термопарами, устройства движения герметизированного контейнера с веществами, причем в области кристаллизации между нагревателями размещена труба, двигаясь по которой теплоноситель отводит часть тепла, изменяя величину температурного градиента. Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, причому в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного градієнта.