METHOD FOR ASSESSING SUNFLOWER INBRED LINES BY HEAT RESISTANCE OF SEED GERMS

A method for assessing sunflower inbred lines by heat resistance of seed germs comprising artificial heat effect on the seed with the further comparison of heated and control seed by germination percentage and length of rootlets of 5-day seedlings. Heating of the seeds, preliminary soaked in water f...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KYRYCHENKO VIKTOR VASYLIOVYCH, TOKAR IHOR VOLODYMYROVYCH, MAKLIAK KATERYNA MYKOLAIVNA
Format: Patent
Sprache:eng ; rus ; ukr
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A method for assessing sunflower inbred lines by heat resistance of seed germs comprising artificial heat effect on the seed with the further comparison of heated and control seed by germination percentage and length of rootlets of 5-day seedlings. Heating of the seeds, preliminary soaked in water for 24 hrs at a room temperature (20±1 °C), is carried out at a temperature from to and an exposure from 5 to 20 min, with the further distribution of the lines into heat-resistance groups. Способ оценки инбредных линий подсолнечника по теплостойкости зародышей семян, включающий искусственное тепловое действие на семена с дальнейшим сравнением прогретых и контрольных семян по проценту всхожести и длине корешка пятидневных ростков, причем осуществляется прогрев семян, предварительно замоченных в воде в течение 24 ч. при комнатной температуре (20±1 °C), при температуре от до и экспозиции от 5 до 20 мин., с дальнейшим распределением линий на группы теплостойкости. Спосіб оцінки інбредних ліній соняшнику за теплостійкістю зародків насіння, що включає штучну теплову дію на насіння із подальшим порівнянням прогрітого та контрольного насіння за процентом схожості і довжиною корінця п'ятидобових проростків, причому здійснюється прогрів насіння, попередньо замочуваного у воді впродовж 24 год. при кімнатній температурі (20±1 °C), за температури від до та експозиції від 5 до 20 хв., із подальшим розподілом ліній на групи теплостійкості.