METHOD FOR FORMING POLISHED SURFASE OF ZINC SELENIDE CRYSTALS

A method for forming polished surface of zinc selenide crystals includes mechanical polishing a ZnSe crystal plate, polishing by liquid-phase etching reagent comprising brome and organic solvent. The crystal plate is polished by etching reagents comprising brome-evolving mixture of hydrogen peroxide...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HALKIN SERHII MYKOLAIOVYCH, TOMASHYK ZINAIDA FEDORIVNA, KRAVTSOVA ANNA SERHIIVNA, SOSNYTS'RA OL'HA OLEKSANDRIVNA, KALYTCHUK SERHII MYKHAILOVYCH, DEMCHYNA LIUBOMYR ANDRIIOVYCH, BUDZULIAK SERHII IVANOVYCH, KORBUTIAK DMYTRO VASYLIOVYCH, TOMASHYK VASYL MYKOLAIOVYCH, STRATIICHUK IRYNA BORYSIVNA
Format: Patent
Sprache:eng ; rus ; ukr
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:A method for forming polished surface of zinc selenide crystals includes mechanical polishing a ZnSe crystal plate, polishing by liquid-phase etching reagent comprising brome and organic solvent. The crystal plate is polished by etching reagents comprising brome-evolving mixture of hydrogen peroxide and hydrobromic acid in two stages. Способ формирования полированной поверхности кристаллов цинк селенида, который включает механическое шлифование пластины кристалла ZnSe, полирование жидкофазным травящим веществом, содержащим бром и органический растворитель. Пластину кристалла полируют травящими веществами, которые содержат бром-выделяющую смесь гидроген пероксида и бромидной кислоты, в две стадии. Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазовим травником, який містить бром та органічний розчинник. Пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти, в дві стадії.