PROCESS FOR GROWING OF DIAMOND MONOCRYSTALS ON FUSE

A process for growing of diamond monocrystals on fuse is carried out with application to growth cell high pressure and temperature by means of creation of temperature gradient between carbon source and seeding crystal, arranged layer-by-layer and divided with carbon alloy solvent. The temperature gradient is set in such a way, that carbon source is situated in area, heated to maximum for this gradient temperature, and seed crystal is placed in area with minimum for this gradient temperature. The growing process is carried out changing gradient for the preparation of optimal distribution of temperature field in the planned time of growing. Способ выращивания монокристаллов алмаза на затравке осуществляют с прикладыванием к ростовой ячейке высоких давления и температуры методом создания градиента температуры между источником углерода и затравочным кристаллом, расположенных послойно и разделенных сплавом-растворителем углерода. При этом градиент температуры устанавливается таким образом, чтоб источник углерода находился в области, нагретой до максимальной для данного градиента температуры, а затравочный кристалл находился в области с минимальной для данного градиента температурой. Процесс выращивания проводят, изменяя градиент для получения оптимального распределения температурного поля в заданный момент выращивания. Спосіб вирощування монокристалів алмазу на затравці здійснюють з прикладанням до ростової комірки високих тиску та температури методом створення градієнта температури між джерелом вуглецю та затравочним кристалом, що розміщені пошарово та розділені сплавом-розчинником вуглецю. При цьому градієнт температури встановлюється таким чином, щоб джерело вуглецю знаходилося в області, яку нагріто до максимальної для даного градієнта температури, а затравочний кристал знаходився в області з мінімальною для даного градієнта температурою. Процес вирощування ведуть, змінюючи градієнт для отримання оптимального розподілення температурного поля в заданий момент вирощування.